纯度远高于优纯的试剂叫做高纯试剂。是在通用试剂基础上发展起来的，是为了门的使用目的而用特殊方法生产的纯度高的试剂。高纯试剂控制的是杂质项含量，基准试剂控制的是主含量，基准试剂可用标准溶液的配制，但高纯试剂不能用于标准溶液的配制（单质氧化物除外）。

目在上也无统一的明确规格，我国除对少数产品制定了国家标准外，大部分高纯试剂的质量标准还很不统一，在名称上也有高纯、超纯、特纯、光谱纯、电子纯等不同叫法。一般以9来表示产品的纯度。故在规格栏中标以2个9、3个9、4个9以此类推，根据这个原则可将高纯物质分为：

杂质总含量不大于1.5×10-2%，其纯度为3.5个9（99.95）简写为3.5N

杂质总含量不大于1.0×10-2%，其纯度为4个9（99.99）简写为4.0N

杂质总含量不大于1.0×10-3%，其纯度为5个9（99.999）简写为5N

对高纯试剂或高纯元素纯度或杂质含量的检验，一般常用原子吸收光谱、原子发射光谱、色谱、质谱比色化学分析等方法进行测定。其阴离子规格原则上参照试剂优标准，没有优标准的产品由生产单位自行制定。根据用途不同，把高纯试剂又分成几大类：

普通离纯试剂

是指一些高纯单质金属、氧化物、金属盐类等，常用于原子能工业材料、电子工业材料、半导体基础材料等，金属单质的氧化物、用来配制标准溶液和作为标准物质，该类试剂常要求含量在4N-6N之间。

超净电子纯试剂

超净高纯试剂是集成电路（IC）制造工艺中的用化学品，用于硅片清洗、光刻、腐蚀工序中。对这种高纯试剂中可溶性杂质和固态微粒要求非常严格，为适应IC集成度不断提高的需求，上半导体工业协会（SemiconductorIndustryAssociation）近来推出Semic7(适合0.8-1.2微米工艺技术)和Semic8(适合于0.2-0.6微米工艺技术)别的试剂质量标准。我国在原有MOS、BV-I试剂的基础上，又制定出BV-II和BV-III试剂标准（相当于Semic7）。我研究所也研制多种MOS、BV-IBV-II和部分BV-III试剂，其颗粒度（0.5微粒颗粒）≤25-100个∕ml，金属杂质总量≤10-3—10-5﹪

光刻胶高纯试剂

光刻工艺是一种表面加工技术，在半导体电子器件和集成电路制造中占有重要地位。为在表面实现选择性腐蚀，采用一类具有抗蚀作用的感光树脂材料作为抗蚀涂层，称为抗蚀剂，国内通称光刻胶。按照溶解度的不同而将光刻胶分为“正性”光刻胶和“负性”光刻胶，按所用曝光光源和辐射光源的不同，又可将其分为紫外、远紫外、电子束、X射线等光刻胶。

光刻胶是微细图形加工的一种关键试剂，要求水分低、金属杂质含量低（≤10-6）

磨抛光高纯试剂

是指用于硅单晶片表面的研磨和抛光的高纯度试剂。它又分磨粉（三氧化二铝）和磨液（水和油剂），能研磨表面达到微米加工精度。这类试剂要求颗粒粒度小（纳米），纯度高，金属杂质一般要求2.0×10-4—5×10-5﹪

液晶高纯试剂

液晶是一类电子化学材料，是指在一定温度范围内呈现介于固相和液相之间的中间相的有机物。它既有液态的流动性也有晶态的各向异性，有时人称他为第四态。

液晶种类繁多，用途广，景大的要属TN(低档)、STN（中高档）、TFT（高档）型。TN、STN及TFT三种型号所组成的单体液晶，主要包括芳香酯类、联苯类、苯基环已烷类、铁电类以及含氟液晶品等五种，它们是当及后使用及发展的主要对象。这类高纯试剂要求含量高（≥99﹪），水分含量低（≤10-6），金属杂质含量少（≤10-6）。